SiC的物理和電學(xué)屬性使其成為短波長(zhǎng)光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的半導(dǎo)體材料。然而生長(zhǎng)優(yōu)質(zhì)的SiC單晶非常困難，其中要素就取決于SiC晶種的品質(zhì)。晶種的類(lèi)型、表面性質(zhì)和吸附變化極大地影響著SiC晶體的生長(zhǎng)類(lèi)型、缺陷結(jié)構(gòu)以及電學(xué)性質(zhì)等等。

合能陽(yáng)光提供的SiC晶種，可充分滿(mǎn)足不同需求的客戶(hù)，優(yōu)質(zhì)的晶種品質(zhì)為客戶(hù)SiC長(zhǎng)晶的成品率與晶片質(zhì)量提供了可靠的保障。