通常情況下，高溫銀漿的導(dǎo)電性相對(duì)更好。原因如下：

燒結(jié)特性：高溫銀漿的燒結(jié)溫度在 800℃-950℃，在如此高的溫度下燒結(jié)，銀粉顆粒能夠充分融合，形成更加致密的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，從而降低電阻，提高導(dǎo)電性。而中溫銀漿（燒結(jié)溫度 500℃-800℃）和低溫銀漿（燒結(jié)溫度 150℃-500℃）由于燒結(jié)溫度較低，銀粉的融合程度相對(duì)較差，導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的完善程度不如高溫銀漿，導(dǎo)電性也會(huì)稍遜一籌。

基材結(jié)合力：高溫銀漿燒結(jié)后與陶瓷或金屬基材的結(jié)合力強(qiáng)，能夠保證銀漿與基材之間的良好接觸，減少接觸電阻，有利于電流的傳輸，進(jìn)而提高整體的導(dǎo)電性能。

不過，銀漿的導(dǎo)電性不僅僅取決于燒結(jié)溫度，還與銀粉的純度、粒徑、形狀，以及添加劑的種類和含量等因素有關(guān)。例如，使用純度達(dá)到 99.9% 以上的銀粉、采用球形與片狀銀粉混合并準(zhǔn)確控制比例、添加適量能促進(jìn)銀粉燒結(jié)和提高分散性的添加劑等，都有助于提升銀漿的導(dǎo)電性能。