微觀結(jié)構(gòu)：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導(dǎo)率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術(shù)參數(shù)直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質(zhì)量。

超高密度成型：超高密度成型工藝（≥99.5%）可使靶材具有更好的性能，提高在真空濺射過程中的穩(wěn)定性和使用壽命。

晶粒定向控制：晶粒定向控制技術(shù)能夠控制銦靶的晶粒尺寸和方向，提升濺射薄膜的質(zhì)量和性能，滿足高端應(yīng)用領(lǐng)域的需求。

良好的導(dǎo)電性：ITO 薄膜的電阻率可達(dá) 10??Ω?cm，具有較低的電阻和較高的載流子濃度，能夠有效地傳輸電流，滿足各種電子設(shè)備的導(dǎo)電需求。

光伏技術(shù)領(lǐng)域：在太陽能電池中，ITO 薄膜作為前電極材料，具有高透明性，能夠保證光線有效進(jìn)入吸收層，從而提升光電轉(zhuǎn)換效率，適用于 CIGS、CdTe 等薄膜太陽能電池技術(shù)。

其他領(lǐng)域：在智能窗、透明發(fā)熱膜、紅外反射膜等領(lǐng)域也有應(yīng)用，滿足智能建筑和汽車工業(yè)中的透明導(dǎo)電需求。