微觀結(jié)構(gòu)：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術(shù)參數(shù)直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質(zhì)量。

主要成分：通常由 90% 的氧化銦（In?O?）和 10% 的氧化錫（SnO?）組成，這一比例在實際應用中能實現(xiàn)透明性和導電性的理想平衡。

外觀特性：在靶材形態(tài)下，顏色通常為淺黃色至淺綠色，而制成薄膜后則具有透明性。

良好的導電性：ITO 薄膜的電阻率可達 10??Ω?cm，具有較低的電阻和較高的載流子濃度，能夠有效地傳輸電流，滿足各種電子設備的導電需求。

半導體與電子工業(yè)（占比約 25%）：

焊料與封裝：利用銦的低熔點和延展性，作為半導體芯片的焊接材料（如倒裝焊、熱沉連接），可適應精密器件的高溫穩(wěn)定性需求。

化合物半導體：與鎵、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物，用于 5G 芯片、激光器、探測器（如紅外成像器件）。