銦靶是指以銦為主要成分的濺射靶材，是一種在材料表面鍍膜過(guò)程中用于提供銦源的材料。在真空濺射鍍膜工藝中，銦靶材在高能粒子的轟擊下，銦原子被濺射出來(lái)并沉積在基底材料表面，形成所需的銦薄膜。

良好的機(jī)械和熱學(xué)特性：硬度較高，在研磨、拋光過(guò)程中不易被劃傷，保證了薄膜表面的平整性；同時(shí)能夠承受較高的溫度而不發(fā)生分解或結(jié)構(gòu)破壞，在高溫環(huán)境中的抗裂性和耐用性良好，確保了薄膜在濺射和高溫條件下的穩(wěn)定性。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結(jié)構(gòu)，使得 ITO 靶材具有更高的電導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度，但該工藝成本較為昂貴。

靶材原料（占比約 60%）：

用于制備 ITO（氧化銦錫）靶材，生產(chǎn) LCD、OLED 顯示面板的透明導(dǎo)電膜（如手機(jī)屏幕、電視面板）。

光伏領(lǐng)域：作為 CIGS（銅銦鎵硒）薄膜太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵原料，提升光電轉(zhuǎn)換效率。