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12V升20V升24V4A升壓芯片WT3207

2025-05-20 03:22:29  38次瀏覽 次瀏覽
價 格:面議

12V升20V升24V4A升壓芯片WT3207

WT3207 是一款率的 PWM 升壓控制裝置 IC。以下是基于該芯片實現(xiàn) 12V 升 20V、24V 且輸出電流 4A 的應(yīng)用相關(guān)信息:

芯片特性:

寬輸入電壓范圍:5V 至 36V,適用于多種不同的輸入電壓場景,對于 12V 的輸入電壓完全適用。

率:效率可高達 95%,這意味著在能量轉(zhuǎn)換過程中損耗較低,能夠有效減少發(fā)熱,提高能源利用率,對于需要較大輸出電流的應(yīng)用非常重要。

外置 MOS 驅(qū)動:強大的輸出驅(qū)動器允許 WT3207 驅(qū)動大型外部 MOSFET,可滿足高功率輸出的需求,便于實現(xiàn) 4A 的輸出電流。

其他特性:具有 330kHz 的振蕩器頻率、PWM 電流模式控制、低電流關(guān)斷模式(1uA)、可編程欠壓鎖定、采用 SOP-8 封裝以及溫度保護等功能,這些特性使得芯片在各種工作條件下都能穩(wěn)定、可靠地運行。

電路設(shè)計要點:

輸入濾波電路:在 12V 輸入端口處連接適當(dāng)?shù)臑V波電容,如一個 100μF 的電解電容和一個 0.1μF 的陶瓷電容并聯(lián)。電解電容用于濾除低頻紋波,陶瓷電容用于濾除高頻噪聲,以減少輸入電壓的波動,為芯片提供穩(wěn)定的電源。

升壓電路:根據(jù) WT3207 的數(shù)據(jù)手冊,選擇合適的電感值和電容值來配合芯片工作。電感是升壓電路的關(guān)鍵元件,其值的選擇要根據(jù)輸出電壓、輸出電流和開關(guān)頻率等因素來確定。對于 4A 的輸出電流,建議選擇電感值在 10μH 到 33μH 之間、額定電流大于 4A 的功率電感。電容則用于輸出濾波和平滑電壓,在輸出端可以使用一個 470μF 的電解電容和一個 0.1μF 的陶瓷電容并聯(lián)。

反饋電路:WT3207 具有反饋引腳(FB),通過連接一個電阻分壓網(wǎng)絡(luò)到輸出端,將輸出電壓反饋到芯片內(nèi)部,以便芯片根據(jù)反饋電壓調(diào)整輸出。例如,如果要將輸出電壓穩(wěn)定在 20V 或 24V,需要根據(jù)芯片的反饋電壓要求和所選的電阻分壓比例來計算電阻值。

MOSFET 選擇:由于需要輸出 4A 的電流,所以要選擇合適的外置 MOSFET。MOSFET 的參數(shù)包括漏極電流、柵極閾值電壓、導(dǎo)通電阻等,要根據(jù)實際的工作電流和電壓來選擇,并且要確保其能夠承受電路中的功率損耗和熱應(yīng)力。

PCB 布局注意事項:

電源路徑:輸入和輸出的電源線路要盡量寬,以降低線路電阻和電壓降。同時,要避免輸入和輸出線路之間的交叉和干擾,防止因線路之間的耦合而產(chǎn)生噪聲或影響電路的穩(wěn)定性。

芯片散熱:WT3207 在工作時會產(chǎn)生一定的熱量,尤其是在輸出電流較大的情況下,熱量會更加明顯。因此,要在 PCB 上為芯片和 MOSFET 提供足夠的散熱空間,可以在芯片底部的焊盤上增加散熱過孔,將熱量傳導(dǎo)到 PCB 的底層,或者在芯片上安裝散熱片。

元件布局:元件的布局要緊湊合理,盡量縮短元件之間的連線長度,以減少信號的傳輸延遲和損耗。特別是反饋電路的元件要靠近芯片的 FB 引腳,以減少信號干擾。

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