金屬銀的微粒是導(dǎo)電銀漿的主要成份，薄膜開(kāi)關(guān)的導(dǎo)電特性主要是靠它來(lái)體現(xiàn)。金屬銀在漿料中的含量直接與導(dǎo)電性能有關(guān)。從某種意義上講，銀的含量高，對(duì)提高它的導(dǎo)電性是有益的，但當(dāng)它的含量超過(guò)臨界體積濃度時(shí)，其導(dǎo)電性并不能提高。一般含銀量在80～90%(重量比)時(shí)，導(dǎo)電量已達(dá)值，當(dāng)含量繼續(xù)增加，電性不再提高，電阻值呈上升趨勢(shì)；當(dāng)含量低于60%時(shí)，電阻的變化不穩(wěn)定。在具體應(yīng)用中，銀漿中銀微粒含量既要考慮到穩(wěn)定的阻值，還要受固化特性、粘接強(qiáng)度、經(jīng)濟(jì)性等因素制約，如銀微粒含量過(guò)高，被連結(jié)樹(shù)脂所裹覆的幾率低，固化成膜后銀導(dǎo)體的粘接力下降，有銀粒脫落的危險(xiǎn)。故此，銀漿中的銀的含量一般在60～70% 是適宜的。

助劑

導(dǎo)電銀漿中的助劑主要是指導(dǎo)電銀漿的分散劑、流平劑、金屬微粒的防氧劑、穩(wěn)定劑等。助劑的加入會(huì)對(duì)導(dǎo)電性能產(chǎn)生不良的影響，只有在權(quán)衡利弊的情況下適宜地、選擇性地加入。

導(dǎo)電銀漿按燒結(jié)溫度不同，分為高溫銀漿，中溫銀漿和低溫銀漿。其中高中溫?zé)Y(jié)型銀漿主要用在太陽(yáng)能電池，壓電陶瓷等方面。低溫銀漿主要用在薄膜開(kāi)關(guān)及鍵盤(pán)線(xiàn)路上面。

玻璃粉

兩個(gè)作用。一，腐蝕晶硅，通過(guò)腐蝕SiNx，形成導(dǎo)電通道。二，在漿料-發(fā)射極界面間作為傳輸媒介。

銀幾乎是為電子工業(yè)而生的，從銀的存量和儲(chǔ)量而言，并不存在供需方面的嚴(yán)重問(wèn)題和資源的稀缺和緊迫性。從銀的本征特性而言要以賤金屬取替還存在很高的技術(shù)難度，還有成本問(wèn)題。在未來(lái)很長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)，電子、電氣方面的應(yīng)用仍是銀重要的消耗方面。