多晶硅料回收生產(chǎn)能力逐漸增加，原材料制造商有了更多的選擇，也會放棄一些使用價值低浪費。但是這個過程是相對簡單的，低成本的回收材料仍然可以降 低成本，是主要的坩堝基地和半導體材料浪費等等。

我們必須除了石英坩堝基地和半成品半導體晶片和金屬加工電路通常使用洗衣籃，籃子靜態(tài)浸泡12小時(根據(jù)酸的濃度和比例)。這種方法是簡單和節(jié)省成本。問題的表面仍在物質(zhì)和酸反應的過程中，酸處理能力需要慢慢地釋放了很長一段時間。在這種情況下，如果加入循環(huán)泵，用于混合酸，縮短浸泡時間可以統(tǒng)一處理的效果。

如果使用超過鍋小顆粒床的傳統(tǒng)方法，打破細胞和電路的半導體材料浸泡很難處理或?qū)е赂嗟睦速M。因為在處理的過程中雜質(zhì)、酸材料中心的處理能力大大減弱，和外圍酸的強度不會改變，而且硅材料的損失。在這種情況下，應該使用傾斜浸泡，利用浮力，使材料均勻性過程中酸浸過程。

硅是一種化學元素，它的顏色是黑色的，不溶于水，它的使用非常廣泛，現(xiàn)在大量的工業(yè)原料硅的使用。有時，一旦完成，用戶不知道這些硅材料和如何處理，因為他們知道，亂扔它會污染環(huán)境，也很浪費，因為含硅材料的高成本。所以不要擔心，硅材料回收，這將使環(huán)境污染大大減少。不僅使材料的二次使用，還可以減少環(huán)境的污染，而且可以減少你的成本，雙方都有益。所以在以后我們使用硅之后請一定要硅片回收，

單晶硅的提煉：純度不高的單質(zhì)硅可用金屬鎂或鋁還原二氧化硅制得，但這是無定形硅。晶形硅則要在電弧爐內(nèi)用碳還原二氧化硅制得，它可用來生產(chǎn)硅鋼片。用作半導體的超純硅的制法則是先用純度不高的硅與氯化氫和氯氣的混合物作用，制取三氯氫硅，并用精餾法提純。然后在還原爐內(nèi)用純氫將三氯氫硅還原，硅就沉積在用超純硅制成的細芯上，這樣制得的超純硅稱為多晶硅，把它放在單晶爐內(nèi)，就可拉制成單晶硅，可用作半導體材料，它的來源豐富，價格便宜，大部分半導體材料都用硅

社會的穩(wěn)定與和諧發(fā)展現(xiàn)在已經(jīng)離不開能源的儲備，21世紀的戰(zhàn)爭也已經(jīng)從武力的爭斗轉(zhuǎn)換成能源的爭斗，誰能擁有持續(xù)、清潔的能源，誰的經(jīng)濟就會持續(xù)的發(fā)展，社會就會更加的和諧、穩(wěn)定。清潔、持續(xù)可利用的能源的研究已經(jīng)引起了大家的重視。那么太陽能作為一種取之不盡、用之不竭的新型清潔能源，它的開發(fā)與利用也已經(jīng)引起全人類的廣泛關注。太陽能電池作為太陽能的可利用形式之一，正在投入到大量的開發(fā)研究之中。商業(yè)化太陽能電池就是清潔能源的一種，采用的是的晶硅，其中的單晶和多晶硅電池的特點就是光電轉(zhuǎn)換的效率比較高，使用的壽命較長，穩(wěn)定性比較好，當然成本也是較高的。伴隨著半導體制造技術的不斷提升與完善，雖然硅片制造成本在不斷降低，但是作為中心材質(zhì)的太陽能電池所用硅片的切割成本一直居高不下，甚至可以占到太陽能總制造成本的30%。

目前硅片的生產(chǎn)已經(jīng)采用多線鋸切割方法，可以生產(chǎn)出面積較大（25cm×25 cm）而厚度又相對較薄的硅片，但是在此方法的操作過程中，金屬絲要受到多種力的激勵，還要受到機械結構的影響，就不可避免的在切割過程中產(chǎn)生變形與振動，瞬間性的沖擊就會作用在切割的硅片上。為了避免此現(xiàn)象的發(fā)生硅片的切割厚度也從300μm左右進一步降低，爭取實現(xiàn)低成本高線切割及減少切縫損耗，但是難度是相當?shù)拇?。因此實現(xiàn)太陽能晶硅電池行業(yè)生產(chǎn)效率的提高及生產(chǎn)成本的降低，對于開展寸超薄硅片切割方法的開拓與創(chuàng)新研究是勢在必行的。