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2022-06-13 09:54:01  425次瀏覽 次瀏覽
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硅料回收淺談廢硅料的處理方法

對符合硅料回收條件的電子級廢硅碎料或塊料作為原料重新回爐后使用?;貭t前必須經(jīng)一系列處理,根據(jù)廢硅料的兩種類型有不同的處理方法。詳細如下為大家介紹!

1、原生型廢硅料的處理:適當清洗、烘干即可。

2、成品型廢硅片的處理:根據(jù)加工到不同工藝步驟的廢料進行不同處理,通過一系列化學方法(與直接使用的成品型廢硅整片的處理方法相同)恢復(fù)其原生型硅料的本來面貌,才能回爐作為太陽能級硅片的原料。

單晶硅電池、多晶硅電池 、非晶硅電池如何區(qū)分?對于此問題,想必大家都有了一個比較深層次的了解,但對于剛加入光伏行業(yè)的人來說,我覺得還是有必要再給大家說一下它們之間的區(qū)別。如果有說的不妥的地方,請大家見諒。

1、從外觀上看的話,單晶硅電池的四個角呈現(xiàn)圓弧狀,表面沒有花紋;而多晶硅電池的四個角呈現(xiàn)方角,表面有類似冰花一樣的花紋;而非晶硅電池也就是我們平時說的薄膜組件,它不像晶硅電池可以看出來柵線,表面就如同鏡子一般清晰、光滑。2、使用上的區(qū)別

對于使用者來說,單晶硅電池和多晶硅電池沒有太大的區(qū)別,它們的壽命和穩(wěn)定性都很好。雖然單晶硅電池平均轉(zhuǎn)換效率要比多晶硅高1%左右,但由于單晶硅電池只能做成準正方形(四邊都是圓弧狀),因此當組成太陽能電池板的時候就會有一部分面積填不滿;而多晶硅是正方形,所以不存在這樣的一個問題,它們的優(yōu)缺點具體如下:

晶硅組件:單塊組件功率相對較高。同樣占地面積下,裝機容量要比薄膜組件高。但組件厚重易碎,高溫性能較差,弱光性差,年度衰減率高。

薄膜組件:單塊組件功率相對略低。但發(fā)電性能高,高溫性能佳,弱光性能好,陰影遮擋功率損失較小,年度衰減率低。應(yīng)用環(huán)境廣泛,美觀,環(huán)保。

硅有晶態(tài)和無定形兩種同素異形體。晶態(tài)硅又分為單晶硅和多晶硅,它們均具有金剛石晶格,晶體硬而脆,具有金屬光澤,能導(dǎo)電,但導(dǎo)電率不及金屬,且隨溫度升高而增加,具有半導(dǎo)體性質(zhì)。

單晶硅在日常生活中是電子計算機、自動控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學技術(shù)中不可缺少的基本材料。電視、電腦、冰箱、電話、手表、汽車,處處都離不開單晶硅材料,單晶硅作為科技應(yīng)用普及材料之一,已經(jīng)滲透到人們生活中的各個角落。

單晶硅在火星上是火星探測器中太陽能轉(zhuǎn)換器的制成材料?;鹦翘綔y器在火星上的能量全部來自太陽光,探測器白天休息---利用太陽能電池板把光能轉(zhuǎn)化為電能存儲起來,晚上則進行科學研究活動。也就是說,只要有了單晶硅,在太陽光照到的地方,就有了能量來源。

單晶硅在太空中是航天飛機、宇宙飛船、人造衛(wèi)星必不可少的原材料。人類在征服宇宙的征途上,所取得的每一步進步,都有著單晶硅的身影。航天器材大部分的零部件都要以單晶硅為基礎(chǔ)。離開單晶硅,衛(wèi)星會沒有能源,沒有單晶硅,航天飛機和宇航員不會和地球取得聯(lián)系,單晶硅作為人類科技進步的基石,為人類征服太空作出了不可磨滅的貢獻。

社會的穩(wěn)定與和諧發(fā)展現(xiàn)在已經(jīng)離不開能源的儲備,21世紀的戰(zhàn)爭也已經(jīng)從武力的爭斗轉(zhuǎn)換成能源的爭斗,誰能擁有持續(xù)、清潔的能源,誰的經(jīng)濟就會持續(xù)的發(fā)展,社會就會更加的和諧、穩(wěn)定。清潔、持續(xù)可利用的能源的研究已經(jīng)引起了大家的重視。那么太陽能作為一種取之不盡、用之不竭的新型清潔能源,它的開發(fā)與利用也已經(jīng)引起全人類的廣泛關(guān)注。太陽能電池作為太陽能的可利用形式之一,正在投入到大量的開發(fā)研究之中。商業(yè)化太陽能電池就是清潔能源的一種,采用的是的晶硅,其中的單晶和多晶硅電池的特點就是光電轉(zhuǎn)換的效率比較高,使用的壽命較長,穩(wěn)定性比較好,當然成本也是較高的。伴隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷提升與完善,雖然硅片制造成本在不斷降低,但是作為中心材質(zhì)的太陽能電池所用硅片的切割成本一直居高不下,甚至可以占到太陽能總制造成本的30%。

目前硅片的生產(chǎn)已經(jīng)采用多線鋸切割方法,可以生產(chǎn)出面積較大(25cm×25 cm)而厚度又相對較薄的硅片,但是在此方法的操作過程中,金屬絲要受到多種力的激勵,還要受到機械結(jié)構(gòu)的影響,就不可避免的在切割過程中產(chǎn)生變形與振動,瞬間性的沖擊就會作用在切割的硅片上。為了避免此現(xiàn)象的發(fā)生硅片的切割厚度也從300μm左右進一步降低,爭取實現(xiàn)低成本高線切割及減少切縫損耗,但是難度是相當?shù)拇?。因此實現(xiàn)太陽能晶硅電池行業(yè)生產(chǎn)效率的提高及生產(chǎn)成本的降低,對于開展寸超薄硅片切割方法的開拓與創(chuàng)新研究是勢在必行的。

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