無(wú)論硅片的厚薄，晶體硅光伏電池制造商都對(duì)硅片的質(zhì)量提出了的要求。硅片不能有表面損傷（細(xì)微裂紋、線鋸印記），形貌缺陷（彎曲、凹凸、厚薄不均）要小化，對(duì)額外后端處理如拋光等的要求也要降到。

在光伏領(lǐng)域，線鋸技術(shù)的進(jìn)步縮小了硅片厚度并降低了切割過(guò)程中的材料損耗，從而減少了太陽(yáng)能電力的硅材料消耗量。（因此，線鋸技術(shù)對(duì)于降低太陽(yáng)能每瓦成本并終促使其達(dá)到電網(wǎng)平價(jià)起到了至關(guān)重要的作用。的線鋸技術(shù)帶來(lái)了很多創(chuàng)新，提高了生產(chǎn)力并通過(guò)更薄的硅片減少了硅材料的消耗。

太陽(yáng)能電池用單晶硅片，一般有兩種形狀，一種是圓形，另一種是方形。以圓形硅片為例，其加工工藝流程為：?jiǎn)尉t取出單晶-檢查重量、量直徑和其他表觀特征-切割分段-測(cè)試-清洗-外圓研磨-檢測(cè)分檔-切片-倒角-清洗-磨片-清洗-檢驗(yàn)-測(cè)厚分類-化學(xué)腐蝕-測(cè)厚檢驗(yàn)-拋光-清洗-再拋光-清洗-電性能測(cè)-檢驗(yàn)-包裝-儲(chǔ)存。

兩個(gè)相鄰允帶之間的區(qū)域稱為禁帶。能級(jí)被電子占滿的能帶稱為滿帶。能級(jí)全空著，沒(méi)有電子占據(jù)的能帶稱為空帶。被價(jià)電子占有的允帶稱為價(jià)帶。由一個(gè)禁帶隔開(kāi)的兩個(gè)鄰近允帶之間的小能量差稱為能隙。通常用價(jià)電子占據(jù)的滿帶及其上面的空帶討論物質(zhì)導(dǎo)電情況。