單晶硅主要用于制作半導(dǎo)體元件。

用途： 是制造半導(dǎo)體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開(kāi)關(guān)器件等

熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結(jié)合起來(lái)便結(jié)晶成單晶硅。

區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領(lǐng)域，廣泛用于大功率輸變電、電力機(jī)車(chē)、整流、變頻、機(jī)電一體化、節(jié)能燈、電視機(jī)等系列產(chǎn)品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。

硅片，簡(jiǎn)單來(lái)講就是用硅制成的片，所以叫硅片，它主要是用在晶體硅光伏電池中，它質(zhì)量方面的要求是很高的，表面不能有損傷等缺陷，比如彎曲、凹凸或者厚度不均勻等。并且硅在切割過(guò)程中，要注意切割方式和方法，盡量減少硅原料的消耗量。

目前硅片的生產(chǎn)已經(jīng)采用多線鋸切割方法，可以生產(chǎn)出面積較大（25cm×25 cm）而厚度又相對(duì)較薄的硅片，但是在此方法的操作過(guò)程中，金屬絲要受到多種力的激勵(lì)，還要受到機(jī)械結(jié)構(gòu)的影響，就不可避免的在切割過(guò)程中產(chǎn)生變形與振動(dòng)，瞬間性的沖擊就會(huì)作用在切割的硅片上。