物質再生應用研究所（原內貿部物質再生應用研究所）采用硫代硫酸鈉溶液溶解廢膠片上的鹵化銀，溶解過程中參加抑制劑阻止膠片上明膠的溶解，溶解液經電解回收銀，片基回收應用。銀浸出率>99%，回收率98%，銀純度99.9%。此法已應用于工業(yè)消費。從廢膠片中回收銀 貴金屬研究所應用稀硫酸液洗脫彩片上含銀乳劑層，氯鹽加熱沉淀鹵化銀，氯化培燒或有機溶劑洗滌除有機物，堿性介質用糖類固體懸浮恢復得純銀。銀純度99.9%，直收率98%。

其他貴金屬廢料：鈀水、鈀銀漿、鈀鹽、鈀粉、氯化鈀、鈀碳催化劑、鈀漿等公司秉承“以誠合作、以信經營、互利互贏、價格從優(yōu)”的經營理念竭誠為你服務，（并對提供信息者*保密重酬*）。砷化鎵（gallium arsenide），化學式 GaAs。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。

銀（Ag）是白色、有光澤的金屬。熔點961.93℃，沸點2212℃，密度10.5克/立方厘米（20℃），熔解熱為11.30千焦/摩爾，汽化熱為250.580千焦/摩爾。銀質軟，摩氏硬度為3.25度，有良好的柔韌性和延展性，延展性僅次于金，能壓成薄片，拉成細絲。1克銀可拉成1800米長的細絲，可軋成厚度為1/100000毫米的銀箔，是導電性和導熱性的金屬。銀對光的反射性也很好，反射率可達到91%。

砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。此外，還可以用于制作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優(yōu)點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。