金、銀、鈀、鉑等貴金屬具有高滲透性能及優(yōu)良的導電特性，通過恰當調(diào)整配方，用作元器件金屬化電極及引出端回收金廢料，不僅可提高產(chǎn)品的可靠性，而且其工藝性能良好。在器件生產(chǎn)中普遍使用金、鉑，在組裝中（如普通陶瓷介質(zhì)電生產(chǎn)及線，陶瓷獨石電容器、組裝電路板等）大量使用銀電極漿料、把銀電極漿料，尤其在各類引進生產(chǎn)線上生產(chǎn)電子元器件時，貴金屬材料的用量更是在不斷增大。

銦在地殼中的分布量比較小，又很分散。它的富礦還沒有發(fā)現(xiàn)過，只是在鋅和其他一些金屬礦中作為雜質(zhì)存在，因此它被列入稀有金屬。 [3]

已知銦礦物有硫銦銅礦（CuInS2）、硫銦鐵礦（FeInS4）和水銦礦等。銦主要呈類質(zhì)同象存在于鐵閃鋅礦、赤鐵礦、方鉛礦以及其他多金屬硫化物礦石中。此外，錫石、黑鎢礦、普通角閃石中也含銦。工業(yè)上，銦的主要來源為閃鋅礦（含銦0.0001～0.1%），在鉛鋅礦冶煉過程中作為副產(chǎn)品回收，錫冶煉也回收銦。

砷化鎵（gallium arsenide），化學式 GaAs。黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進入實用階段。錫鉛合金焊料廣泛應用于電子信息產(chǎn)品的制造。在焊接過程中，由于高溫氧化而產(chǎn)生大量的氧化渣。氧化渣的主要成分是錫鉛氧化物，屬于含鉛有害固體廢物。它的無序排放對人類和環(huán)境危害極大，是國家管理的危險固體廢物的一類。

砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。此外，還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優(yōu)點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產(chǎn)理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。