高價回收各類電子元器件，如三極管，二極管，IC，電阻，電容等

三極管的電特性和兩個pn接面的偏壓有關(guān)，工作區(qū)間也依偏壓方式來分類，這里 我們先討論常用的所謂”正向活性區(qū)”(forward active)，在此區(qū)EB極間的pn接 面維持在正向偏壓，而BC極間的pn接面則在反向偏壓，通常用作放大器的三極管 都以此方式偏壓。圖2(a)為一pnp三極管在此偏壓區(qū)的示意圖。 EB接面的空乏 區(qū)由于在正向偏壓會變窄，載體看到的位障變小，射極的電洞會注入到基極，基 極的電子也會注入到射極；而BC接面的耗盡區(qū)則會變寬，載體看到的位障變大， 故本身是不導(dǎo)通的。圖2(b)畫的是沒外加偏壓，和偏壓在正向活性區(qū)兩種情形 下，電洞和電子的電位能的分布圖。 三極管和兩個反向相接的pn二極管有什么差別呢？其間的不同部分就在 于三極管的兩個接面相當(dāng)接近。以上述之偏壓在正向活性區(qū)之pnp三極管為例， 射極的電洞注入基極的n型中性區(qū)，馬上被多數(shù)載體電子包圍遮蔽，然后朝集電極 方向擴散，同時也被電子復(fù)合。當(dāng)沒有被復(fù)合的電洞到達BC接面的耗盡區(qū)時， 會被此區(qū)內(nèi)的電場加速掃入集電極，電洞在集電極中為多數(shù)載體，很快藉由漂移電流 到達連結(jié)外部的歐姆接點，形成集電極電流IC。 IC的大小和BC間反向偏壓的大小 關(guān)系不大。基極外部僅需提供與注入電洞復(fù)合部分的電子流IBrec，與由基極注入 射極的電子流InB E