前蘇聯(lián)科學家尼古拉·巴索夫于1960年發(fā)明了半導體激光器。半導體激光器的結構通常由p層、n層和形成雙異質(zhì)結的有源層構成。其特點是：尺寸小、耦合效率高、響應速度快、波長和尺寸與光纖尺寸適配、可直接調(diào)制、相干性好。

激光的中文名稱

1964年10月，中國科學院長春光機所主辦的《光受激發(fā)射情報》（其前身為《光量子放大?？罚╇s志編輯部致信錢學森，請他為LASER取一個中文名字，錢學森建議中文名為“

激光”。同年12月，上海召開第三屆光量子放大器學術會議，由嚴濟慈主持，討論后正式采納錢學森的建議，將“通過輻射受激發(fā)射的光放大”的英文縮寫LASER正式翻譯為“激光”。隨后，《光受激發(fā)射情報》雜志也改名為《激光情報》。