科研實(shí)驗(yàn)專用碲化鉍靶材Bi2Te3磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

碲化鉍（Bi2Te3）是一種灰色的粉末，碲化鉍是個(gè)半導(dǎo)體材料，具有較好的導(dǎo)電性，但導(dǎo)熱性較差。雖然碲化鉍的危險(xiǎn)性低，但是如果大量的攝取也有致命的危險(xiǎn)；但此種材料即可允許電子在室溫條件下無能耗地在其表面運(yùn)動(dòng)，這將給芯片的運(yùn)行速度帶來飛躍，甚至可大大提高計(jì)算機(jī)芯片的運(yùn)行速度和工作效率。用于半導(dǎo)體、電子冷凍和發(fā)電。

產(chǎn)品參數(shù)

中文名 碲化鉍 化學(xué)式 Bi2Te3

熔點(diǎn) 585℃ 密度 7.642g/ml

分子量 800.76 純度 99.999%

支持靶材定制，請(qǐng)?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會(huì)盡快為您報(bào)價(jià)??！

服務(wù)項(xiàng)目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制?？蒲袉挝回浀礁犊睿|(zhì)量保證，售后無憂！

產(chǎn)品附件：發(fā)貨時(shí)產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝

適用儀器：多種型號(hào)磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備

質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報(bào)告。

加工流程：熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測→包裝出庫

陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差，連續(xù)長時(shí)間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強(qiáng)烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！

我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。

注意：高純銦的熔點(diǎn)約為156℃，靶材工作溫度超過熔點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！

建議：陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。