住友TYPE-82C+納米調(diào)芯光纖熔接機(jī) 創(chuàng)新AI高智能熔接機(jī)

TYPE-82C+作為高精度纖芯對(duì)準(zhǔn)光纖熔接機(jī)T-82C的后續(xù)升級(jí)機(jī)型，擁有全球首創(chuàng)成功熔接技術(shù)，創(chuàng)下平均熔接損耗0.01dB的業(yè)界紀(jì)錄。繼承了輕巧便攜、快速熔接、高水準(zhǔn)的耐環(huán)境性能，還內(nèi)置了創(chuàng)新AI技術(shù)NanoTune、以及適用于超低損大有效面積光纖（ITU-TG.654.E）的熔接條件，同時(shí)將加熱補(bǔ)強(qiáng)速度和接續(xù)次數(shù)提升到水準(zhǔn)。

隨著5G組網(wǎng)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、人工智能和工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的不斷發(fā)展，海量數(shù)據(jù)迫使骨干網(wǎng)傳輸從100G向200G/400G等更高速率升級(jí)，兼具低非線性效應(yīng)和低衰減系數(shù)的G.654.E光纖將是200G/400G及未來Tbit/s超高速傳輸技術(shù)的光纖。

對(duì)于下一代光網(wǎng)絡(luò)，更低的衰減系數(shù)和更大的光纖有效面積有利于超高速、超大容量以及超長(zhǎng)距離的數(shù)據(jù)傳輸，G.654.E光纖以其獨(dú)有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)成為運(yùn)營(yíng)商建設(shè)5G網(wǎng)絡(luò)的主流選擇。

為了滿足客戶對(duì)于充分利用超低損大有效面積光纖的特性、將熔接損耗降低到水平的需求，我們基于多年來積累的超低損光纖研發(fā)和制造知識(shí)，充分發(fā)揮40多年來積累的行業(yè)的熔接技術(shù)，研發(fā)成功業(yè)界的適用于G.654.E光纖的熔接條件，并內(nèi)置于全新TYPE-82C+中。在相同條件下，使G.654.E光纖的特性發(fā)揮到。同時(shí)也大大降低了熔接損耗。

助力5G高速信息通信網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，我們?cè)谛袆?dòng)！

住友TYPE-82C和TYPE-82C+技術(shù)參數(shù)對(duì)比（見：下表）

序號(hào)

技術(shù)參數(shù)

TYPE-82C

TYPE-82C+

1

熔接時(shí)間

5秒（快速模式）

5秒（快速模式）

2

加熱時(shí)間

9秒

8秒

3

電池使用次數(shù)

300次

320次

4

雙聯(lián)加熱器

有

有

5

G.654.E光纖熔接模式

無

有

6

納米調(diào)芯技術(shù)（NanoTune)

無

有