這兩個概念主要出半導(dǎo)體加工過程中，初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。

硅片的化學(xué)機械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

應(yīng)用領(lǐng)域 1、 光通訊領(lǐng)域，配合公司專門為光纖連接器開發(fā)的拋光產(chǎn)品，能達到超精細拋光效果，拋光后連接器端面沒有劃傷和缺陷，3D指標和反射衰減指標達到國際標準。 2、 硬盤基片的拋光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均勻、分散性好、平坦化效率高等優(yōu)點。 3、 硅晶圓、藍寶石等半導(dǎo)體及襯底材料的粗拋和精拋，具有拋光速率高，拋光后易清洗，表面粗糙度低，能夠得到總厚偏差（TTV）極小的質(zhì)量表面。 4、其他領(lǐng)域的應(yīng)用，如不銹鋼、光學(xué)玻璃等領(lǐng)域，拋光后能達到良好的拋光效果

拋光液的主要產(chǎn)品可以按主要成分的不同分為以下幾大類：金剛石拋光液（多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液）、氧化硅拋光液（即CMP拋光液）、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類。

氧化鋁和碳化硅拋光液 是以超細氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。 主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。

一些制樣技術(shù)對金剛石拋光劑的要求更高, 并且對一種特殊的制樣方法確切知道需要何種金剛石拋光劑是非常必要的。 對試樣的要求高意味對研磨劑要進行臨界選擇(多晶的金剛石, P) 但是只要一個可接受的試樣，使用價格便宜的金剛石產(chǎn)品(單晶金剛石, M)就足夠了。制樣時選擇金剛石產(chǎn)品，制樣的質(zhì)量、時間和成本都必須綜合起來考慮。

防銹的特點，能夠保證不產(chǎn)生銹蝕，適當?shù)募尤敕冷P劑，需要要求防銹處理，主要是針對水性研磨拋光液而言，對于油性研磨拋光液，一般是不會產(chǎn)生銹蝕的問題。

潤滑作用。主要是指研磨拋光液滲入工件以及磨粒切屑之間所形成的潤滑膜，這層膜能夠減輕摩擦，使砂輪耐用度增加，有效的防止工件表面粗糙度出現(xiàn)惡化。