氧化硅拋光液 氧化硅拋光液（CMP拋光液）是以高純硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。 廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學(xué)器件、藍寶石片等的拋光加工。

這兩個概念主要出半導(dǎo)體加工過程中，初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。

硅片的化學(xué)機械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

潤滑作用。主要是指研磨拋光液滲入工件以及磨粒切屑之間所形成的潤滑膜，這層膜能夠減輕摩擦，使砂輪耐用度增加，有效的防止工件表面粗糙度出現(xiàn)惡化。

拋光：工件通過了粗拋、精拋工藝后，進入拋光工序;也是終實現(xiàn)光學(xué)表面層實現(xiàn)的后一個部分，前提下前兩者必須要為后一步拋光做好準備，使得在整個拋光過程當中，盡量去除粗拋與精拋所留下的破環(huán)層，實現(xiàn)光學(xué)表面理想鏡面效果。

一些制樣技術(shù)對金剛石拋光劑的要求更高, 并且對一種特殊的制樣方法確切知道需要何種金剛石拋光劑是非常必要的。 對試樣的要求高意味對研磨劑要進行臨界選擇(多晶的金剛石, P) 但是只要一個可接受的試樣，使用價格便宜的金剛石產(chǎn)品(單晶金剛石, M)就足夠了。制樣時選擇金剛石產(chǎn)品，制樣的質(zhì)量、時間和成本都必須綜合起來考慮。

防銹的特點，能夠保證不產(chǎn)生銹蝕，適當?shù)募尤敕冷P劑，需要要求防銹處理，主要是針對水性研磨拋光液而言，對于油性研磨拋光液，一般是不會產(chǎn)生銹蝕的問題。

潤滑作用。主要是指研磨拋光液滲入工件以及磨粒切屑之間所形成的潤滑膜，這層膜能夠減輕摩擦，使砂輪耐用度增加，有效的防止工件表面粗糙度出現(xiàn)惡化。