硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

氧化硅拋光液 氧化硅拋光液（CMP拋光液）是以高純硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。 廣泛用于多種材料納米級(jí)的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學(xué)器件、藍(lán)寶石片等的拋光加工。

拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。 拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來的動(dòng)力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過程。

多晶金剛石拋光液 多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時(shí)不易對(duì)研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。 主要應(yīng)用于藍(lán)寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學(xué)晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。

產(chǎn)品類型 硅材料 拋光液 藍(lán)寶石 拋光液 砷化鎵 拋光液 鈮酸鋰 拋光液 鍺拋光液 集成電路多次銅布線拋光液 集成電路阻擋層拋光液

氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛用于多種材料納米級(jí)的高平坦化拋光。如：硅片、化合物晶體、精密光學(xué)器件、寶石等的拋光加工。

封釉：封釉的基本原理是依靠震拋技術(shù)將釉劑反復(fù)深壓進(jìn)車漆紋理中，形成一種特殊的網(wǎng)狀保護(hù)膜，從而提高原車漆面的光澤度、硬度。

釉與車漆緊密結(jié)合在一起，但是由于釉是有石油制備而來，比較容易氧化，所以會(huì)導(dǎo)致車漆與釉共同氧化的問題。

二氧化硅，化學(xué)術(shù)語(yǔ)，純的二氧化硅無(wú)色，常溫下為固體，化學(xué)式為SiO?，不溶于水。不溶于酸，但溶于氫氟酸及熱濃磷酸，能和熔融堿類起作用。自然界中存在有結(jié)晶二氧化硅和無(wú)定形二氧化硅兩種。二氧化硅用途很廣泛，主要用于制玻璃、水玻璃、陶器、搪瓷、耐火材料、氣凝膠氈、硅鐵、型砂、單質(zhì)硅、水泥等，在古代，二氧化硅也用來制作瓷器的釉面和胎體。一般的石頭主要由二氧化硅、碳酸鈣構(gòu)成。

一些制樣技術(shù)對(duì)金剛石拋光劑的要求更高, 并且對(duì)一種特殊的制樣方法確切知道需要何種金剛石拋光劑是非常必要的。 對(duì)試樣的要求高意味對(duì)研磨劑要進(jìn)行臨界選擇(多晶的金剛石, P) 但是只要一個(gè)可接受的試樣，使用價(jià)格便宜的金剛石產(chǎn)品(單晶金剛石, M)就足夠了。制樣時(shí)選擇金剛石產(chǎn)品，制樣的質(zhì)量、時(shí)間和成本都必須綜合起來考慮。

金剛石晶粒大小的分布與各晶粒大小之間的差距應(yīng)盡可能的小，這是非常重要的。 因?yàn)槿绻趻伖鈩┲写嬖趩蝹€(gè)的金剛石大晶粒，那么試樣表面由它們形成的劃痕將無(wú)法在后道工序中消除。 反之，晶粒太小又不利于試樣的磨削。因此，控制粒度分布在金剛石產(chǎn)品的生產(chǎn)中是非常重要的。