氧化鋁和碳化硅拋光液 是以超細氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。 主要用于高精密光學儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。

半導體行業(yè) CMP技術還廣泛的應用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術（如：基于淀積技術的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術。

應用領域 1、 光通訊領域，配合公司專門為光纖連接器開發(fā)的拋光產(chǎn)品，能達到超精細拋光效果，拋光后連接器端面沒有劃傷和缺陷，3D指標和反射衰減指標達到國際標準。 2、 硬盤基片的拋光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均勻、分散性好、平坦化效率高等優(yōu)點。 3、 硅晶圓、藍寶石等半導體及襯底材料的粗拋和精拋，具有拋光速率高，拋光后易清洗，表面粗糙度低，能夠得到總厚偏差（TTV）極小的質(zhì)量表面。 4、其他領域的應用，如不銹鋼、光學玻璃等領域，拋光后能達到良好的拋光效果

依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程。

LED芯片主要采用的襯底材料是藍寶石，在加工過程中需要對其進行減薄和拋光。藍寶石的硬度，普通磨料難以對其進行加工。在用金剛石研磨液對藍寶石襯底表面進行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。

生產(chǎn)二氧化硅拋光液，主要用于精密研磨拋光加工，深圳海德研磨的二氧化硅拋光液可達到納米級，能有效改善表面粗超度，去除表面波紋，劃痕，斑點等，拋光后可呈完美的鏡面效果，光潔度高。另外該液體粒度分布均勻，分散性能好，使用時無需二次分散，無沉淀。

防銹的特點，能夠保證不產(chǎn)生銹蝕，適當?shù)募尤敕冷P劑，需要要求防銹處理，主要是針對水性研磨拋光液而言，對于油性研磨拋光液，一般是不會產(chǎn)生銹蝕的問題。