氧化鋁和碳化硅拋光液 是以超細(xì)氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。 主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。

半導(dǎo)體行業(yè) CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。

應(yīng)用領(lǐng)域 1、 光通訊領(lǐng)域，配合公司專門為光纖連接器開發(fā)的拋光產(chǎn)品，能達(dá)到超精細(xì)拋光效果，拋光后連接器端面沒有劃傷和缺陷，3D指標(biāo)和反射衰減指標(biāo)達(dá)到國際標(biāo)準(zhǔn)。 2、 硬盤基片的拋光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均勻、分散性好、平坦化效率高等優(yōu)點。 3、 硅晶圓、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體及襯底材料的粗拋和精拋，具有拋光速率高，拋光后易清洗，表面粗糙度低，能夠得到總厚偏差（TTV）極小的質(zhì)量表面。 4、其他領(lǐng)域的應(yīng)用，如不銹鋼、光學(xué)玻璃等領(lǐng)域，拋光后能達(dá)到良好的拋光效果

依據(jù)機械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學(xué)機械拋光（CMP）機理、動力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機械拋光是一個復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個動力學(xué)過程。

LED芯片主要采用的襯底材料是藍(lán)寶石，在加工過程中需要對其進(jìn)行減薄和拋光。藍(lán)寶石的硬度，普通磨料難以對其進(jìn)行加工。在用金剛石研磨液對藍(lán)寶石襯底表面進(jìn)行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。

生產(chǎn)二氧化硅拋光液，主要用于精密研磨拋光加工，深圳海德研磨的二氧化硅拋光液可達(dá)到納米級，能有效改善表面粗超度，去除表面波紋，劃痕，斑點等，拋光后可呈完美的鏡面效果，光潔度高。另外該液體粒度分布均勻，分散性能好，使用時無需二次分散，無沉淀。

防銹的特點，能夠保證不產(chǎn)生銹蝕，適當(dāng)?shù)募尤敕冷P劑，需要要求防銹處理，主要是針對水性研磨拋光液而言，對于油性研磨拋光液，一般是不會產(chǎn)生銹蝕的問題。