應(yīng)用領(lǐng)域 1、 光通訊領(lǐng)域，配合公司專門為光纖連接器開發(fā)的拋光產(chǎn)品，能達(dá)到超精細(xì)拋光效果，拋光后連接器端面沒有劃傷和缺陷，3D指標(biāo)和反射衰減指標(biāo)達(dá)到國際標(biāo)準(zhǔn)。 2、 硬盤基片的拋光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均勻、分散性好、平坦化效率高等優(yōu)點(diǎn)。 3、 硅晶圓、藍(lán)寶石等半導(dǎo)體及襯底材料的粗拋和精拋，具有拋光速率高，拋光后易清洗，表面粗糙度低，能夠得到總厚偏差（TTV）極小的質(zhì)量表面。 4、其他領(lǐng)域的應(yīng)用，如不銹鋼、光學(xué)玻璃等領(lǐng)域，拋光后能達(dá)到良好的拋光效果

拋光液的主要產(chǎn)品可以按主要成分的不同分為以下幾大類：金剛石拋光液（多晶金剛石拋光液、單晶金剛石拋光液和納米金剛石拋光液）、氧化硅拋光液（即CMP拋光液）、氧化鈰拋光液、氧化鋁拋光液和碳化硅拋光液等幾類。

氧化鋁和碳化硅拋光液 是以超細(xì)氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。 主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）機(jī)理、動力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個動力學(xué)過程。

LED芯片主要采用的襯底材料是藍(lán)寶石，在加工過程中需要對其進(jìn)行減薄和拋光。藍(lán)寶石的硬度，普通磨料難以對其進(jìn)行加工。在用金剛石研磨液對藍(lán)寶石襯底表面進(jìn)行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。

一些制樣技術(shù)對金剛石拋光劑的要求更高, 并且對一種特殊的制樣方法確切知道需要何種金剛石拋光劑是非常必要的。 對試樣的要求高意味對研磨劑要進(jìn)行臨界選擇(多晶的金剛石, P) 但是只要一個可接受的試樣，使用價格便宜的金剛石產(chǎn)品(單晶金剛石, M)就足夠了。制樣時選擇金剛石產(chǎn)品，制樣的質(zhì)量、時間和成本都必須綜合起來考慮。

防銹的特點(diǎn)，能夠保證不產(chǎn)生銹蝕，適當(dāng)?shù)募尤敕冷P劑，需要要求防銹處理，主要是針對水性研磨拋光液而言，對于油性研磨拋光液，一般是不會產(chǎn)生銹蝕的問題。

潤滑作用。主要是指研磨拋光液滲入工件以及磨粒切屑之間所形成的潤滑膜，這層膜能夠減輕摩擦，使砂輪耐用度增加，有效的防止工件表面粗糙度出現(xiàn)惡化。