化學拋光是一種將金相樣品浸入調(diào)配的化學拋光液中，借化學藥劑的溶解作用而得到的拋光表面的拋光方法?；瘜W拋光是常見的金相樣品拋光方法之一，這種方法操作簡便，不需任何儀器設(shè)備，只需要選擇適當?shù)幕瘜W拋光液和掌握的拋光規(guī)范，就能快速得到較理想的光潔而無變形層的表面。

拋光液作為金屬加工液檢測種類的重要一員，對金屬表面的打磨處理，滿足平坦化需求起著關(guān)鍵性的作用。拋光液適用于鉛錫合金， 銅， 鋅合金， 不銹鋼， 鋁合金， 鐵等金屬零部件的拋光， 光亮度可達 12 級， 可取代多種進口拋光劑和拋光粉。

新型的地坪拋光液多以「巴西蠟乳液」作為基材，具有的光澤和保油性，其性能表現(xiàn)要明顯優(yōu)于傳統(tǒng)的石蠟拋光液，總體具有較高的性價比。作為一款性能表現(xiàn)能夠打包票"的提亮產(chǎn)品，地坪拋光液出光效果不理想，那么問題很有可能出在四個方面上，相關(guān)詳情請看下文。 地面干燥程度對出光效果的影響： 噴灑地坪拋光液之前，應(yīng)確保地面潔凈無殘留粉塵，并且要足夠干燥地面未完全干燥，將不利于出光。注：地坪拋光液無需兌水使用。

半導體行業(yè) CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。