依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程。

多晶金剛石拋光液 多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。 主要應用于藍寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。

產(chǎn)品類型 硅材料 拋光液 藍寶石 拋光液 砷化鎵 拋光液 鈮酸鋰 拋光液 鍺拋光液 集成電路多次銅布線拋光液 集成電路阻擋層拋光液

CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現(xiàn)了藍寶石表面的精密拋光。隨著LED行業(yè)的快速發(fā)展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。