場效應(yīng)管（Field Effect Transistor）又稱場效應(yīng)晶體管，是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管，[1]它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。

場效應(yīng)管具有輸入電阻高（10 7～10 15Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和 功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。

與 雙極型晶體管相比，場效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。

（1）場效應(yīng)管是電壓控制 器件，它通過V GS(柵源電壓)來控制I D（漏極電流）；

（2）場效應(yīng)管的控制輸入端 電流極小，因此它的 輸入電阻（10 7～10 12Ω）很大。