碎硅片回收切割常見問題

1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。

2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無法溢出，造成線痕。

表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細(xì)。

3、密布線痕(密集型線痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機(jī)砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

4、錯(cuò)位線痕：由于切片機(jī)液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動(dòng)，而產(chǎn)生的線痕。

在整個(gè)切割過程中，對(duì)硅片的質(zhì)量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線的速度、鋼線的張力以及工件的進(jìn)給速度等。

線痕和TTV: 線痕和TTV是在硅片加工當(dāng)中遇到的比較頭疼的事，時(shí)不時(shí)就會(huì)出現(xiàn)一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時(shí)候出現(xiàn)，而線痕是在收線弓的時(shí)候容易出現(xiàn)。

硅料回收廠家淺談不同硅料的回收處理方法

1.硅料回收廢整片的處理方法：

將完整的電子級(jí)廢硅圓片經(jīng)過表面處理、劃片后直接作為太陽能級(jí)硅片來使用。由于電子級(jí)的硅片都是圓形(面積大能制作出更多芯片)，而太陽能級(jí)的硅片是準(zhǔn)方形的(節(jié)省電池空間)，所以要?jiǎng)澇梢恍┏叽绾蟛拍苁褂谩?/p>

2.廢碎(塊)料的處理方法

(1)原生型廢硅料的處理：適當(dāng)清洗、烘干即可。

(2)成品型廢硅片的處理：根據(jù)加工到不同工藝步驟的廢料進(jìn)行不同處理，通過一系列化學(xué)方法(與直接使用的成品型廢硅整片的處理方法相同)恢復(fù)其原生型硅料的本來面貌，才能回爐作為太陽能級(jí)硅片的原料。

受太陽能需求急劇增長(zhǎng)的影響，生產(chǎn)硅片的原材料多晶硅價(jià)格幾年之間上漲了3倍，而預(yù)計(jì)今后幾年多晶硅的供應(yīng)缺口將維持在5000噸左右，多晶硅價(jià)格有望繼續(xù)上漲。

好組件回收將有可能引發(fā)我國(guó)硅片生產(chǎn)行業(yè)新一輪洗牌，尋找國(guó)際技術(shù)合作伙伴將是途徑之一。

好組件回收為了進(jìn)一步降低多晶硅太陽電池的成本，研究了硅片厚度對(duì)多晶硅太陽電池的短路電流密度、開路電壓和效率的影響。可以看出，在保證多晶硅太陽電池性能不變或者提高的前提下，硅片厚度可以減小到200μm，如果繼續(xù)減小厚度，電池的性能將會(huì)下降。

太陽能單晶硅組件回收。當(dāng)太陽光照射在太陽能電池上時(shí)，電池吸收光能，產(chǎn)生光生電子-空穴對(duì) 。在電池內(nèi)建電場(chǎng)作用下，光生電子和空穴被分離，電池兩端出現(xiàn)異號(hào)電荷的積累，即產(chǎn)生“光生電壓”，這就是“光生伏打效應(yīng)”。若在內(nèi)建電場(chǎng)的兩側(cè)引出電極 并接上負(fù)載，則負(fù)載就有“光生電流”流過，從而獲得功率輸出。這樣，太陽的光能就直接變成了可以使用的電能。 在相同的溫度下，光照強(qiáng)度對(duì)電池板的影響：光照強(qiáng)度越大，太陽能電池板的開路電壓和短路電流越大，輸出功率也越大 ，同時(shí)可以看出開路電壓隨輻照強(qiáng)度的變化不如短路電流隨輻照強(qiáng)度的變化明顯 。

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