西門子 6ES7223-1PL32-0XB0模塊

SIMATIC S7-300的通用技術(shù)數(shù)據(jù)

防護等級

P20,符合EC60529

環(huán)境溫度

水平安裝時0~60°C

垂直安裝時0~40°C

相對濕度10~95%,無結(jié)露,相當(dāng)于符合EC61131,Par2中規(guī)定的2級相對濕度(RH)

1080~795hPa(相當(dāng)于海拔-1000~+2000m)

絕緣

50V

500VDC測試電壓

150V

2500VDC測試電壓

250V

4000VDC測試

電磁兼容電磁兼容性指令要求;抗擾性,依據(jù)標準EC610006-2脈沖形千擾變

測試依據(jù):靜電放電:EC61000-4-2突發(fā)脈沖:EC61000-44;浪涌脈沖:E61000-45

測試依據(jù):高頻輻射:C61000-4-3高頻去耦:EC61000-4-6千擾輻射:EN正弦干擾變量

測試依據(jù):電磁干擾:EN55016,A級限值(測量距離為10m)電流電源電磁干射頻干擾

EN55011:A級限值,組1頻率范圍10Hzf58H機械負載?連續(xù):振幅00375mm

振動間歇:振幅0.75mm

頻率范圍58Hzf150H

連續(xù):恒定加速度05g

間歇:恒定加速度1g

測試標準C60068-26

測試參數(shù):5 Hosts9Hz,恒定振幅35mm;9Hzs150Hz,恒定加速度1g

振動持續(xù)時間:在ⅩY、Z三個方向上,各10次

測試標準:EC60

抗沖擊性測試參數(shù)

半正弦:沖擊強度15g(峰值),持續(xù)時間11ms

沖擊方向:在ⅩY、Z正負方向上,各3次

內(nèi)存卡

6ES7953-8LF11-0AA0 SIMATIC Micro內(nèi)存卡 64kByte(MMC)

6ES7953-8LG11-0AA0 SIMATIC Micro內(nèi)存卡128KByte(MMC)

6ES7953-8LJ11-0AA0 SIMATIC Micro內(nèi)存卡512KByte(MMC)

6ES7953-8LL11-0AA0 SIMATIC Micro內(nèi)存卡2MByte(MMC)

6ES7953-8LM11-0AA0 SIMATIC Micro內(nèi)存卡4MByte(MMC)

6ES7953-8LP11-0AA0 SIMATIC Micro內(nèi)存卡8MByte(MMC)

6ES7951-0KD00-0AA0 FEPROM 內(nèi)存卡16K

6ES7951-0KE00-0AA0 FEPROM 內(nèi)存卡32K

6ES7951-0KF00-0AA0 FEPROM 內(nèi)存卡64K

FEPROM 內(nèi)存卡128K

6ES7971-1AA00-0AA0 鋰電池 3.6V/0.95AH

開關(guān)量模板

6ES7321-1BH02-0AA0 輸入模塊（16點，24VDC）

6ES7321-1BH50-0AA0 輸入模塊（16點，24VDC，源輸入）

6ES7321-1BL00-0AA0 輸入模塊（32點，24VDC）

6ES7321-7BH01-0AB0 輸入模塊（16點，24VDC，診斷能力）

6ES7321-1EL00-0AA0 輸入模塊（32點，120VAC）

6ES7321-1FF01-0AA0 輸入模塊（8點，120/230VAC）

6ES7321-1FH00-0AA0 輸入模塊（16點，120/230VAC）

6ES7322-1BH01-0AA0 輸出模塊（16點，24VDC）

6ES7322-5GH00-0AB0 輸出模塊（16點，24VDC，獨立接點，故障保護）

6ES7322-1BL00-0AA0