科研實驗專用氧化鎵靶材Ga2O3磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

氧化鎵（Ga2O3）別名是三氧化二鎵，是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV；不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液，易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機酸；有α，β兩種變體，α型為白色菱形六面體，熔點：1900℃(在600℃時轉(zhuǎn)化為β型)。用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導體材料制備。它是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。

產(chǎn)品參數(shù)

中文名 氧化鎵 分子式 Ga2O3

分子量 187.44 熔點 1740℃

密度 5.88g/ml 純度 99.99%

支持合金靶材定制，請?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會盡快為您報價?。?/p>

服務項目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制?？蒲袉挝回浀礁犊?，質(zhì)量保證，售后無憂！

產(chǎn)品附件：發(fā)貨時產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝

適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備

質(zhì)量控制：嚴格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度；可提供質(zhì)檢報告。

加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫