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北京晶邁中科材料技術(shù)有限公司

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碲化鉍靶材Bi2Te3碲化銻靶材Sb2Te3碲化鍺靶GeTe

2021-11-10 07:54:01  572次瀏覽 次瀏覽
價(jià) 格:面議

科研實(shí)驗(yàn)專用碲化鉍靶材Bi2Te3碲化銻靶材Sb2Te3碲化鍺靶GeTe磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

碲化鉍(Bi2Te3)是一種灰色的粉末,碲化鉍是個(gè)半導(dǎo)體材料,具有較好的導(dǎo)電性,但導(dǎo)熱性較差。雖然碲化鉍的危險(xiǎn)性低,但是如果大量的攝取也有致命的危險(xiǎn);但此種材料即可允許電子在室溫條件下無能耗地在其表面運(yùn)動(dòng),這將給芯片的運(yùn)行速度帶來飛躍,甚至可大大提高計(jì)算機(jī)芯片的運(yùn)行速度和工作效率。用于半導(dǎo)體、電子冷凍和發(fā)電.

產(chǎn)品參數(shù)

中文名 碲化鉍 化學(xué)式 Bi2Te3 分子量 800.76

熔點(diǎn) 585℃ 密度 7.642g/ml

產(chǎn)品介紹

碲化銻為溫差電材料.碲化銻,周期表第VA,VIA族元素化合物半導(dǎo)體。

產(chǎn)品參數(shù)

中文名 碲化銻 分子式 Sb2Te3

分子量 626.32 熔點(diǎn) 620℃

密度 6.5g/cm3

產(chǎn)品介紹

碲化鍺晶體可用作紅外光發(fā)射和探測材料。周期表第W, 族元素化合物半導(dǎo)體。 離子性晶體。三角晶系面心結(jié)構(gòu),熔點(diǎn)724 C' 。為直接帶隙半導(dǎo)體,采用熔化再結(jié)品法制備。

產(chǎn)品參數(shù)

中文名 碲化鍺 化學(xué)式 GeTe

熔點(diǎn) 725℃ 密度 6.14g/ml

支持合金靶材定制,請?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例(重量比或原子比)、規(guī)格,我們會(huì)盡快為您報(bào)價(jià)??!

服務(wù)項(xiàng)目:靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制??蒲袉挝回浀礁犊睿|(zhì)量保證,售后無憂!

產(chǎn)品附件:發(fā)貨時(shí)產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝

適用儀器:多種型號磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備

質(zhì)量控制:嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝,采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段,分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度;可提供質(zhì)檢報(bào)告。

加工流程:熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測→包裝出庫

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