使通信芯片實現(xiàn)微型化的另一種有效的途徑，是在半導(dǎo)體通信芯片制造工藝中采用更先進(jìn)的光刻技術(shù)，科學(xué)家們讓光透過掩膜形成一個影像，利用透鏡使這個影像縮小，并且巧妙地利用這種投影光，把芯片電路的輪廓投射到涂有一層硅的光刻膠上面，通過對透鏡的改進(jìn)，縮短光的波長，并且改進(jìn)光阻材料，就可以把芯片電路蝕刻得更加細(xì)致入微，更加，從而制造出集成度更高、體積更小的通信芯片，使用這種芯片的移動通信設(shè)備將變得更加便攜。

第三代移動通信正在崛起，3G與代以及第二代移動通信技術(shù)的不同，在于3G需要面向Internet和數(shù)據(jù)通信。因此，對新一代的手機IC芯片提出了更好的要求，要求手機IC芯片具有更強大的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)處理能力，必需擁有更廣闊的存儲空間，用來存儲從網(wǎng)上下載的各種數(shù)據(jù)信息。此外，還要求新一代手機中被處理的信息不再僅僅是語音和指令，而是更復(fù)雜的多媒體信息，因此，要求新一代手機IC芯片必需擁有更高速的數(shù)據(jù)處理能力，要求其速度快如閃電。

藍(lán)色巨人IBM和北方電訊(Nortel) 公司的科學(xué)家們還聯(lián)合研制出了一款制造材料既非硅、也非鍺的新型芯片，這就是SiGe芯片，它是由硅(Si)和鍺(Ge)兩種材料的混合物制造而成的，稱為SiGe混合物半導(dǎo)體芯片。 根據(jù)這兩家公司的合作協(xié)議，Nortel公司負(fù)責(zé)為幾種高速通信應(yīng)用程序?qū)ｉT設(shè)計這種新型SiGe芯片，而IBM公司則負(fù)責(zé)專門生產(chǎn)這種芯片。 這種SiGe芯片是目前其他一些非硅半導(dǎo)體芯片諸如砷化鎵芯片的有益的補充，SiGe芯片能夠有力地支持研發(fā)更復(fù)雜、高速的通信新產(chǎn)品。與砷化鎵芯片比較，SiGe芯片有著其明顯的優(yōu)勢，SiGe芯片的集成度更高，體積更小，功耗也更少。此外，SiGe芯片還有一個突出的優(yōu)點，它可以用現(xiàn)有的硅芯片生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行加工，而不必另外添置其它的加工設(shè)備，從而能夠有效地降低生產(chǎn)成本，與其他的非硅芯片更具有價格優(yōu)勢。

美國密執(zhí)安大學(xué)工程學(xué)院在近研制成功一種新型光學(xué)芯片，這種芯片可以大大增加數(shù)據(jù)高速公路的信息容量，使上網(wǎng)用戶獲益匪淺。這種芯片是目前高速光電子信號檢測的世界紀(jì)錄保持者，它可以接收速度高達(dá)24Mbps的以激光脈沖傳輸?shù)臄?shù)據(jù)，而目前絕大多數(shù)同類產(chǎn)品能夠處理的數(shù)據(jù)傳輸速度，僅為11兆位/秒。這所工程學(xué)院新推出的光學(xué)芯片，在同一種半導(dǎo)體疊層中集成了光檢測儀和放大裝置，不必采用會增加混合光感接收器制造成本的連接電線。這種芯片的電路包括一個可檢測輸入光束的P 型光電二極管和一個放大高速信號的異結(jié)雙極晶體管。這種芯片是在密執(zhí)安大學(xué)固態(tài)電子實驗室采用一種半導(dǎo)體工業(yè)常用的單步分子束外延生長工藝研制成功的。雖然目前這種光學(xué)芯片的成本還比較高，但是，一旦這種制造技術(shù)實現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)化，那么，光學(xué)芯片的成本和價格就會大大降低，屆時，光學(xué)芯片就會在電子業(yè)界和通信業(yè)界得到廣泛的應(yīng)用。