拋光粉的基本要求

（1）微粉粒度均勻一致，在允許的范圍之內(nèi)；顆粒的大小及均勻度決定了拋光速度和精度，過篩的篩網(wǎng)目數(shù) 能掌握粉體相對(duì)的粒度的值，平均粒度決定了拋光粉顆粒大小的整體水平。

（2）有較高的純度，不含機(jī)械雜質(zhì)。

（3）有良好的分散性和吸附性，以保證加工過程的均勻和，可適量添加LBD-1分散劑提高懸浮率；好的 拋光粉要有較好的懸浮性，粉體的形狀和粒度大小對(duì)懸浮性能具有一定的影響，納米粒徑的拋光粉的懸 浮性相對(duì)的要好一些，所以精拋一般選擇納米拋光粉。

（4）粉末顆粒有一定的晶格形態(tài)，破碎時(shí)形成銳利的尖角，以提高拋光效率；粉體的晶型是團(tuán)聚在一起的單 晶顆粒，決定了粉體的切削性、耐磨性及流動(dòng)性。粉體團(tuán)聚在一起的單晶顆粒在拋光過程中分離（破碎），使其切削性、耐磨性逐漸下降，顆粒為球型的拋光粉具有良好的切削性、耐磨性和流動(dòng)性。

（5）有合適的硬度和密度，和水有很好的浸潤(rùn)性和懸浮性，因?yàn)閽伖夥坌枰c水混合，硬度相對(duì)大的粉體具 有較快的切削效果，同時(shí)添加一些助磨劑等等也同樣能提高切削效果；不同的應(yīng)用領(lǐng)域會(huì)有很大出入，包括自身加工工藝。

影響拋光粉性能的指標(biāo)

（1）粉體的粒度大小：決定了拋光精度和速度，常用多少目和粉體的平均粒度大小來。過篩的篩網(wǎng)目數(shù)能掌握粉體相對(duì)的粒度的值，平均粒度決定了拋光粉顆粒大小的整體水平。

（2）粉體莫氏硬度：硬度相對(duì)大的粉體具有較快的切削效果，同時(shí)添加一些助磨劑等等也同樣能提高切削效果；不同的應(yīng)用領(lǐng)域會(huì)有很大出入，包括自身加工工藝。

（3）粉體懸浮性：好的粉要求拋光粉要有較好的懸浮性，粉體的形狀和粒度大小對(duì)懸浮性能具有一定的影響，片形及粒度細(xì)些的拋光粉的懸浮性相對(duì)的要好一些，但不是決對(duì)的。拋光粉懸浮性能的提高也可通過加懸浮液（劑）來改善。

（4）粉體的晶型：粉體的晶型是團(tuán)聚在一起的單晶顆粒，決定了粉體的切削性、耐磨性及流動(dòng)性。粉體團(tuán)聚在一起的單晶顆粒在拋光過程中分離（破碎），使其切削性、耐磨性逐漸下降，不規(guī)則的六邊形晶型顆粒具有良好的切削性、耐磨性和流動(dòng)性。

（5）外觀顏色：原料中Pr的含量及灼燒溫度等因素有關(guān)，鐠含量越高，其粉體顯棕紅色。低鈰拋光粉中含有大量的鐠（鈰鐠料），使其顯棕紅色。高鈰拋光粉，灼燒溫度越高，其顯偏白粉色，溫度低（900度左右），其顯淡黃色。

制作步驟：

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對(duì)硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）機(jī)理、動(dòng)力學(xué)控制過程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個(gè)動(dòng)力學(xué)過程：

（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。

（2）拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來的動(dòng)力學(xué)過程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過程。

硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

氧化鈰拋光液

氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級(jí)CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細(xì)、粒度分布均勻、硬度適中等特點(diǎn)。

適用于高精密光學(xué)儀器，光學(xué)鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。