性能特點(diǎn)： 1、光澤度高，可達(dá)100度以上，超出新出廠石材的標(biāo)準(zhǔn)。 2、硬度高，不易劃傷，一般硬物（或自然行走）不會(huì)對(duì)石材造成磨損。 3、均勻、平整、光滑、天然、清澈，有鏡面感覺(jué)，顯現(xiàn)石材天然色澤。 4、表面干爽，不吸附塵埃，塵埃沙粒僅停留在表面，易徹底清理。 5、還具有防滑、防污效果。 適用范圍：特特別適用于一些比較難處理的大理石，如：潔士白、大花綠等石材。大理石面板、墻壁的清洗、增亮、防護(hù)處理。晶面處理后石材表面的日常維護(hù)處理。

這兩個(gè)概念主要出半導(dǎo)體加工過(guò)程中，初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機(jī)械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴(yán)重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機(jī)械拋光的優(yōu)勢(shì)：?jiǎn)渭兊幕瘜W(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機(jī)械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W(xué)機(jī)械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數(shù)量級(jí)，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。

制作步驟：

依據(jù)機(jī)械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學(xué)、半導(dǎo)體化學(xué)基礎(chǔ)理論等，對(duì)硅單晶片化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）機(jī)理、動(dòng)力學(xué)控制過(guò)程和影響因素研究標(biāo)明，化學(xué)機(jī)械拋光是一個(gè)復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個(gè)動(dòng)力學(xué)過(guò)程：

（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。這是化學(xué)反應(yīng)的主體。

（2）拋光表面反應(yīng)物脫離硅單晶表面，即解吸過(guò)程使未反應(yīng)的硅單晶重新裸露出來(lái)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過(guò)程。

硅片的化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程是以化學(xué)反應(yīng)為主的機(jī)械拋光過(guò)程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過(guò)程中的化學(xué)腐蝕作用與機(jī)械磨削作用達(dá)到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機(jī)械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。

拋光粉的真實(shí)硬度與材料有關(guān)，如氧化鈰的硬度就是莫氏硬度7左右，各種氧化鈰都差不多。但不同的氧化鈰體給人感覺(jué)硬度不同，是因?yàn)檠趸嫆伖夥弁ǔ閳F(tuán)聚體，附圖為一個(gè)拋光粉團(tuán)聚體的電鏡照片。由于燒成溫度不同，團(tuán)聚體的強(qiáng)度也不一樣，因此使用時(shí)會(huì)有硬度不一樣的感覺(jué)。當(dāng)然，有的拋光粉中加入氧化鋁等較硬的材料，表現(xiàn)出來(lái)的磨削率和耐磨性都會(huì)提高。