在米粒大的硅片上，已能集成16萬個晶體管。這是何等精細的工程!這是多學科協同努力的結晶，是科學技術進步的又一個里程碑。地殼中含量達25.8%的硅元素，為單晶硅的生產提供了取之不盡的源泉。由于硅元素是地殼中儲量豐富的元素之一，對太陽能電池這樣注定要進入大規(guī)模市場(mass market)的產品而言，儲量的優(yōu)勢也是硅成為光伏主要材料的原因之一。

半導體硅用量或產量以單晶硅數量(以噸計)和硅片面積(平方英寸)來表述。是一類具有半導體性能，用來制作半導體器件的硅材料，主要包括硅粉、硅棒、硅片、籽晶、單晶硅、多晶硅、半導體晶體管、單晶硅棒、單晶硅片、單晶硅切磨片、單晶硅拋光片、單晶硅外延片、單晶硅太陽能電池板、單晶硅芯片、砷化鎵、單晶鍺、太陽能電池圓片、方片、二級管、三級管、硅堆、復合半導體器件、微波射頻器件、可控硅器件、高頻管、低頻管、功率管、MOS管、集成電路等等。

多晶硅生產過程中主要危險、有害物質中氯氣、氫氣、三氯氫硅、氯化氫等主要危險特性有：

1）氫氣：與空氣混合能形成爆炸性混合物，遇熱或明火即會發(fā)生爆炸。氣體比空氣輕，在室內使用和儲存時，漏氣上升滯留屋頂不易排出，遇火星會引起爆炸。氫氣與氟、氯、溴等鹵素會劇烈反應。

2）氧氣：助燃物、可燃物燃燒爆炸的基本要素之一，能氧化大多數活性物質。與易燃物（如乙炔、甲烷等）形成有爆炸性的混合物。

3）氯：有刺激性氣味，能與許多化學品發(fā)生爆炸或生成爆炸性物質。幾乎對金屬和非金屬都起腐蝕作用。屬高毒類。是一種強烈的刺激性氣體。

4）氯化氫：無水氯化氫無腐蝕性，但遇水時有強腐蝕性。能與一些活性金屬粉末發(fā)生反應，放出氫氣。遇氰化物能產生劇毒的氰化氫氣體。

5）三氯氫硅：遇明火強烈燃燒。受高熱分解產生有毒的氯化物氣體。與氧化劑發(fā)生反應，有燃燒危險。極易揮發(fā)，在空氣中發(fā)煙，遇水或水蒸氣能產生熱和有毒的腐蝕性煙霧。燃燒（分解）產物：氯化氫、氧化硅。

6）四氯化硅：受熱或遇水分解放熱，放出有毒的腐蝕性煙氣。

7）氫氟酸：腐蝕性極強。遇H發(fā)泡劑立即燃燒。能與普通金屬發(fā)生反應，放出氫氣而與空氣形成爆炸性混合物。

8）硝酸：具有強氧化性。與易燃物（如苯）和有機物（如糖、纖維素等）接觸會發(fā)生劇烈反應，甚至引起燃燒。與堿金屬能發(fā)生劇烈反應。具有強腐蝕性。

9）氮氣：若遇高熱，容器內壓增大。有開裂和爆炸的危險。

10）氟化氫：腐蝕性極強。若遇高熱，容器內壓增大，有開裂和爆炸的危險。

熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成三維空間長程有序的形式成為單晶硅。 單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本征半導體。在超純單晶硅中摻入微量的ⅢA 族元素，如硼可提高其導電的程度，而形成p型硅半導體；如摻入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高導電程度，形成n型硅半導體。 單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。單晶硅主要用于制作半導體元件。 硅 結晶型的硅是暗黑藍色的，很脆，是典型的半導體?；瘜W性質非常穩(wěn)定。在常溫下，除氟化氫以外，很難與其他物質發(fā)生反應。