擴(kuò)散型單晶硅是在單晶硅中， 用擴(kuò)散工藝摻入一定量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性質(zhì)和電阻率數(shù)值。

改變單晶硅導(dǎo)電類(lèi)型的雜質(zhì)，一類(lèi)是磷、砷、銻， 摻雜后使單晶硅呈現(xiàn)電子型導(dǎo)電(N)型， 另一類(lèi)是硼、鋁、鎵，攙雜后使單晶硅呈現(xiàn)空穴型導(dǎo)電(P)型。摻入雜質(zhì)的數(shù)量多少與單晶硅電阻率的高低有直接關(guān)系。

單晶硅是一種重要的半導(dǎo)體材料， 它是由多晶硅拉制而成的，過(guò)去多用來(lái)做晶體管、整流器及太陽(yáng)能電池等。

隨著電子技術(shù)的進(jìn)步， 近些年來(lái)， 國(guó)內(nèi)外已研制成功壓阻應(yīng)變?cè)U(kuò)散型單晶硅，并獲得應(yīng)用。

擴(kuò)散型單晶硅是在單晶硅中， 用擴(kuò)散工藝摻入一定量的雜質(zhì)，以改變其電學(xué)性質(zhì)和電阻率數(shù)值。改變單晶硅導(dǎo)電類(lèi)型的雜質(zhì)，一類(lèi)是磷、砷、銻， 摻雜后使單晶硅呈現(xiàn)電子型導(dǎo)電(N)型， 另一類(lèi)是硼、鋁、鎵，攙雜后使單晶硅呈現(xiàn)空穴型導(dǎo)電(P)型。摻入雜質(zhì)的數(shù)量多少與單晶硅電阻率的高低有直接關(guān)系。根據(jù)下式可以求出所需要的電阻率：

擴(kuò)散型單晶硅是壓阻式的應(yīng)變?cè)?，也可以說(shuō)是一種固體硅電阻器， 其電阻變化與所承受的機(jī)械應(yīng)力成正比， 將它與懸臂梁機(jī)械地聯(lián)在一起并形成惠斯登電橋，可產(chǎn)生同振動(dòng)運(yùn)動(dòng)成正比的電信號(hào)。這一性能的取得給科學(xué)技術(shù)某些領(lǐng)域創(chuàng)造了新的應(yīng)用條件。

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